Mémoire : le ferro-électrique présente un avenir gigantesque

Clément Solym - 30.08.2010

Lecture numérique - Acteurs numériques - mémoire - stockage - disque


Alors que le consommateur de technologie informatique se familiarise peu à peu avec les disques SSD, matériel de stockage sans pièces mobiles, un nouveau pas vient d'être franchi dans la miniaturisation de la mémoire.

L'institut de communication électrique de l'université de Tohoku au Japon a dévoilé ses travaux sur la mémoire FRAM. Semblable à la mémoire DRAM, mais non volatile, l'application d'une couche ferro-électrique baisse sa consommation énergétique, entraîne une plus grande rapidité d'écriture et de lecture tout en permettant un plus grand nombre de réécriture.

Par le biais d'un générateur à impulsion, les chercheurs Kenkô Tanaka et Yasuo Cho ont réussi à enregistrer des données d'une densité huit fois plus grande que celle des disques durs disponibles actuellement.


Plus précisément, les deux scientifiques ont atteint le nombre de 4 trillions (milliards de milliards) d'octets par pouce carré. « Nous nous attendons à ce que ce système de stockage de données ferro-électrique soit un candidat à la succession des disques durs magnétiques ou de la mémoire flash. Au moins dans les applications pour lesquelles la densité de données extrêmement hautes est requise sur des espaces physiques restreints », a expliqué l'un des deux auteurs de l'expérience.

Mais pour l'heure, ce système d'écriture nécessite des améliorations avant sa commercialisation, particulièrement en terme de vitesse et de précision. Mais Toshiba pourrait faire mentir cette prévision. Le concepteur nippon a annoncé la mise au point d'un système de stockage magnétique capabale de tasser 2,5 trillions d'octets sur un pouce carré. Un résultat plus qu'honorable pour une technologie déjà commercialisée et donc accessible à un grand nombre.

De quoi envisager le stockage de banque de données gigantesques et l'archivage de fonds bibliothécaires avec un tout nouveau regard.